G350P02LLE
Производитель Номер продукта:

G350P02LLE

Product Overview

Производитель:

Goford Semiconductor

Номер детали:

G350P02LLE-DG

Описание:

MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT-23-6
Подробное описание:
P-Channel 4.5A (Tc) 1.4W (Tc) Surface Mount SOT-23-6L

Инвентаризация:

24000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12995440
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

G350P02LLE Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
35mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Vgs (макс.)
±10V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.4W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-6L
Упаковка / Чехол
SOT-23-6

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
4822-G350P02LLETR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0000
Сертификация DIGI
Связанные продукты
goford-semiconductor

GT025N06AD5

N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~

goford-semiconductor

G230P06S

P-60V,-8A,RD(MAX)<23M@-10V,VTH-2

goford-semiconductor

G12P06K

P-60V,-12A,RD(MAX)<75M@-10V,VTH-

goford-semiconductor

G12P06K

MOSFET P-CH 60V 12A TO-252