Производитель Номер продукта:
G50N03D5
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
G50N03D5-DG
Описание:
N30V,RD(MAX)<4.5M@10V,RD(MAX)<8M
Подробное описание:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
Инвентаризация:
5000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12999426
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G50N03D5 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1784 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
20W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-DFN (4.9x5.75)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
4822-G50N03D5TR
3141-G50N03D5TR
3141-G50N03D5CT
3141-G50N03D5DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TSM70N380CH
700V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE
TSM160N10LCR
100V, 46A, SINGLE N-CHANNEL POWE
IXFK110N65X3
DISCRETE MOSFET 110A 650V X3 TO2