Производитель Номер продукта:
G60N10K
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
G60N10K-DG
Описание:
N90V,60A,RD<25M@10V,VTH0.8V~2.5V
Подробное описание:
N-Channel 90 V 60A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount TO-252
Инвентаризация:
2500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12997609
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G60N10K Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
90 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
25mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
111 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4118 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
56W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
4822-G60N10KTR
3141-G60N10KDKR
3141-G60N10KTR
3141-G60N10KCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0000
Сертификация DIGI
Связанные продукты
G60N10K
MOSFET N-CH 100V 60A TO-252
G58N06K
MOSFET N-CH 60V 58A TO-252
GT080N08D5
N85V,65A,RD<8.5M@10V,VTH2.0V~4.0
