Производитель Номер продукта:
G65P06D5
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
G65P06D5-DG
Описание:
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
Подробное описание:
P-Channel 60 V 65A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
Инвентаризация:
12975178
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G65P06D5 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5814 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-DFN (4.9x5.75)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
3141-G65P06D5TR
4822-G65P06D5TR
3141-G65P06D5DKR
3141-G65P06D5CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2N7002KM-TP
N-CHANNEL MOSFET SOT-723
MCG25P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET,DFN3333
RQ7G080BGTCR
NCH 40V 8A, TSMT8, POWER MOSFET