Производитель Номер продукта:
G700P06D3
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
G700P06D3-DG
Описание:
P-60V,-18A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-
Подробное описание:
P-Channel 60 V 18A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)
Инвентаризация:
1820 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12989748
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G700P06D3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
G
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
70mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1446 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
32W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-DFN (3.15x3.05)
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
3141-G700P06D3CT
3141-G700P06D3TR
3141-G700P06D3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTE2984
MOSFET-PWR N-CHAN 60V 17A TO-220
IPB65R155CFD7ATMA1
HIGH POWER_NEW
TK110U65Z,RQ
DTMOS VI TOLL PD=190W F=1MHZ
