Производитель Номер продукта:
GC11N65F
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
GC11N65F-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220F
Подробное описание:
N-Channel 11A (Tc) 38.5W (Tc) Through Hole TO-220F
Инвентаризация:
10000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12978212
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
GC11N65F Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
Cool MOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (макс.)
±30V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
38.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220F
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
4822-GC11N65F
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
3400
N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M
3400
MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT-23
1002
N100V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<2