Производитель Номер продукта:
GC11N65M
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
GC11N65M-DG
Описание:
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Подробное описание:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-263
Инвентаризация:
775 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13000379
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
0php
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
GC11N65M Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
Cool MOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
768 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
78W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
3141-GC11N65MDKR
4822-GC11N65MTR
3141-GC11N65MTR
3141-GC11N65MCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJA72EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
G2012
MOSFET N-CH 20V 12A DFN2*2-6L
SIHD14N60ET1-GE3
N-CHANNEL 600V