Производитель Номер продукта:
GT065P06T
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
GT065P06T-DG
Описание:
P-60V,-82A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTH
Подробное описание:
P-Channel 60 V 82A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
55 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12996810
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
GT065P06T Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
SGT
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5335 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
3141-GT065P06T
4822-GT065P06T
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0000
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PSMN6R0-25YLD115
NEXPERIA PSMN6R0-25YLD - POWER F
NTD6N40
TRANS MOSFET N-CH 400V 6A 3-PIN(
GT065P06T
MOSFET P-CH 60V 82A TO-220
