Производитель Номер продукта:
GT090N06S
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
GT090N06S-DG
Описание:
N60V,14A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.4V,
Подробное описание:
N-Channel 60 V 14A (Tc) 3.1W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Инвентаризация:
13004408
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
GT090N06S Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1378 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
3141-GT090N06STR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0000
Сертификация DIGI
Связанные продукты
GSFC0603
MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -60V,
AUIRFR8403TRLARMA1
MOSFET_(20V 40V)
IPB180P04P4L02AUMA2
MOSFET