GT095N10D5
Производитель Номер продукта:

GT095N10D5

Product Overview

Производитель:

Goford Semiconductor

Номер детали:

GT095N10D5-DG

Описание:

MOSFET N-CH 100V 55A DFN5*6-8L
Подробное описание:
N-Channel 55A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)

Инвентаризация:

100000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12985531
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

GT095N10D5 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
SGT
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
74W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-PDFN (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
5,000
Другие названия
4822-GT095N10D5TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

AUXNS0306RTRL

MOSFET N-CH DPAK

diodes

DMP2070UQ-7

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3

vishay-siliconix

SIHA17N80E-GE3

N-CHANNEL 800V

nexperia

NXV100XPR

NXV100XP/SOT23/TO-236AB