GT400P10T
Производитель Номер продукта:

GT400P10T

Product Overview

Производитель:

Goford Semiconductor

Номер детали:

GT400P10T-DG

Описание:

MOSFET P-CH 100V 35A TO-220
Подробное описание:
P-Channel 100 V 35A (Tc) 106W (Tc) Through Hole TO-220

Инвентаризация:

62 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13239061
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

GT400P10T Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
35mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3223 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
106W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
3141-GT400P10T

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0000
Сертификация DIGI
Связанные продукты
goford-semiconductor

GT750P10M

MOSFET P-CH 100V 24A TO-263

goford-semiconductor

GT400P10K

MOSFET P-CH 100V 35A TO-252

goford-semiconductor

G3K8N15KE

MOSFET N-CH ESD 150V 6A TO-252

goford-semiconductor

GT400P10M

MOSFET P-CH 100V 35A TO-263