Производитель Номер продукта:
GT52N10D5
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
GT52N10D5-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 71A DFN5*6-8L
Подробное описание:
N-Channel 71A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5.2x5.86)
Инвентаризация:
100000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12997482
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
GT52N10D5 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
SGT
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
71A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
79W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-DFN (5.2x5.86)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
4822-GT52N10D5TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PXP012-30QLJ
P-CHANNEL TRENCH MOSFET
FBG10N30BC
GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
FDC638P-P
MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
