Производитель Номер продукта:
GT55N06D5
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
GT55N06D5-DG
Описание:
N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
Подробное описание:
N-Channel 60 V 45A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
Инвентаризация:
4751 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12975393
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
GT55N06D5 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
SGT
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1988 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
69W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-DFN (4.9x5.75)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
3141-GT55N06D5TR
3141-GT55N06D5CT
3141-GT55N06D5DKR
4822-GT55N06D5TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PMV28ENER
PMV28ENE/SOT23/TO-236AB
MCG53N06A-TP
N-CHANNEL MOSFET,DFN3333
SIB4317EDK-T1-GE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
