GT750P10K
Производитель Номер продукта:

GT750P10K

Product Overview

Производитель:

Goford Semiconductor

Номер детали:

GT750P10K-DG

Описание:

P-CH,-100V,-24A,RD(MAX)<85M@-10V
Подробное описание:
P-Channel 100 V 24A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount TO-252

Инвентаризация:

928 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13004000
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

GT750P10K Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
85mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1940 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
79W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
3141-GT750P10KTR
3141-GT750P10KCT
3141-GT750P10KDKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIHK155N60E-T1-GE3

E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1

goford-semiconductor

GT023N10M

N100V,140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~4