BDX33C
Производитель Номер продукта:

BDX33C

Product Overview

Производитель:

Harris Corporation

Номер детали:

BDX33C-DG

Описание:

TRANS NPN DARL 100V 10A TO220AB
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A 70 W Through Hole TO-220AB

Инвентаризация:

1195 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12942781
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

BDX33C Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN - Darlington
Ток - коллектор (IC) (макс.)
10 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
100 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
2.5V @ 6mA, 3A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500µA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
750 @ 3A, 3V
Мощность - Макс
70 W
Частота - переход
-
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Базовый номер продукта
BDX33

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
777
Другие названия
2156-BDX33C
ONSONSBDX33C

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

CPH3110-TL-E

PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON

fairchild-semiconductor

BD442STU

TRANS PNP 80V 4A TO126-3

fairchild-semiconductor

BD675AS

TRANS NPN DARL 45V 4A TO126-3

onsemi

CPH3248-TL-E

NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON