Производитель Номер продукта:
IRF353
Product Overview
Производитель:
Harris Corporation
Номер детали:
IRF353-DG
Описание:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 350 V 13A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3
Инвентаризация:
375 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12954443
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF353 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
350 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
400mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-3
Упаковка / Чехол
TO-204AA, TO-3
Дополнительная информация
Стандартный пакет
70
Другие названия
2156-IRF353
HARHARIRF353
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
XPH2R106NC,L1XHQ
MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
SI4090DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
RF1S4N100SM9A
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO263AB
