IRF723
Производитель Номер продукта:

IRF723

Product Overview

Производитель:

Harris Corporation

Номер детали:

IRF723-DG

Описание:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 350 V 2.8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220

Инвентаризация:

79897 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12931654
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRF723 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
350 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
360 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
50W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
386
Другие названия
HARHARIRF723
2156-IRF723

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

2SJ634-S-TL-E

PCH 4V DRIVE SERIES

onsemi

2SK1432

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

2SJ659-E

PCH 4V DRIVE SERIES

renesas-electronics-america

2SK1290-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET