IRF731
Производитель Номер продукта:

IRF731

Product Overview

Производитель:

Harris Corporation

Номер детали:

IRF731-DG

Описание:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 350 V 5.5A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB

Инвентаризация:

4150 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12931719
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRF731 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
350 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
600 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
75W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
202
Другие названия
HARHARIRF731
2156-IRF731

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

IRFW644BTM

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

EC4409C-TL-H

NCH 1.8V DRIVE SERIES

harris-corporation

IRF641

N-CHANNEL POWER MOSFET

alpha-and-omega-semiconductor

AON6250

MOSFET N-CH 150V 13.5A/52A 8DFN