Производитель Номер продукта:
IRFD110
Product Overview
Производитель:
Harris Corporation
Номер детали:
IRFD110-DG
Описание:
1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL
Подробное описание:
N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Инвентаризация:
44368 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12941176
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFD110 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
540mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
180 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.3W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Упаковка / Чехол
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Базовый номер продукта
IRFD110
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
523
Другие названия
2156-IRFD110
HARHARIRFD110
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
0000.00.0000
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MTD6N10E1
NFET DPAK 100V 0.40R
IRF820
2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
IRF6892STRPBF
25V 999A DIRECTFET-LV
