Производитель Номер продукта:
RF1S25N06SM
Product Overview
Производитель:
Harris Corporation
Номер детали:
RF1S25N06SM-DG
Описание:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 60 V 25A Surface Mount TO-263AB
Инвентаризация:
3005 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12938149
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RF1S25N06SM Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
25A
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
-
Rds On (макс.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Vgs (макс.)
-
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263AB
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
460
Другие названия
2156-RF1S25N06SM
HARHARRF1S25N06SM
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SJ143(2)-S6-AZ
P-CHANNEL POWER MOSFET
MTV32N20E
N-CHANNEL POWER MOSFET
NVHL040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
