RF1S45N02L
Производитель Номер продукта:

RF1S45N02L

Product Overview

Производитель:

Harris Corporation

Номер детали:

RF1S45N02L-DG

Описание:

45A, 20V, 0.022OHM, N-CHANNEL LO
Подробное описание:
N-Channel 20 V 45A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Инвентаризация:

999 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12974542
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

RF1S45N02L Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
22mOhm @ 45A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1300 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
90W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262 (I2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
533
Другие названия
HARHARRF1S45N02L
2156-RF1S45N02L

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
0000.00.0000
Сертификация DIGI
Связанные продукты
goford-semiconductor

G3035

P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75

onsemi

NVD360N65S3T4G

SF3 EASY AUTO 360MOHM DPAK

onsemi

NVB260N65S3

SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO

diotec-semiconductor

DI006P02PW

MOSFET POWERQFN 2X2 P -20V -6A 0