Производитель Номер продукта:
ICE15N60FP
Product Overview
Производитель:
IceMOS Technology
Номер детали:
ICE15N60FP-DG
Описание:
Superjunction MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
Инвентаризация:
1000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001992
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
ICE15N60FP Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
IceMOS Technology
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
250mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2064 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
35W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220FP
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
5133-ICE15N60FP
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHB6N80AE-GE3
E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
NTBG028N170M1
SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
G630J
N200V, 9A,RD<0.28@10V,VTH1.0V~3.
