Производитель Номер продукта:
ICE19N60L
Product Overview
Производитель:
IceMOS Technology
Номер детали:
ICE19N60L-DG
Описание:
Superjunction MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 236W (Tc) Surface Mount 4-DFN (8x8)
Инвентаризация:
6000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12992670
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
ICE19N60L Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
IceMOS Technology
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
220mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2064 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
236W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-DFN (8x8)
Упаковка / Чехол
4-PowerTSFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
5133-ICE19N60LTR
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJ123ELP-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
FQD9N25TM-SBEK002
MOSFET N-CH 250V 7.4A TO252AA
DMP22D5UFZ-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0606-
