AIMBG120R020M1XTMA1
Производитель Номер продукта:

AIMBG120R020M1XTMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

AIMBG120R020M1XTMA1-DG

Описание:

SIC_DISCRETE
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 104A (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12

Инвентаризация:

12988917
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

AIMBG120R020M1XTMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
104A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
18V, 20V
Rds On (макс.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
82 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
+23V, -5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2667 pF @ 800 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
AEC-Q101
Квалификация
Automotive
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-7-12
Упаковка / Чехол
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Базовый номер продукта
AIMBG120

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
448-AIMBG120R020M1XTMA1CT
448-AIMBG120R020M1XTMA1DKR
448-AIMBG120R020M1XTMA1TR
SP005411511

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
anbon-semiconductor

2N7002E

N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT

micro-commercial-components

BSS138BKW-TP

N-CHANNEL MOSFET,SOT-323

micro-commercial-components

BSS138BKT-TP

N-CHANNEL MOSFET,SOT-523

utd-semiconductor

FDN338P

20V 1.6A 500MW [email protected],1.6A 1