Производитель Номер продукта:
AIMBG120R080M1XTMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
AIMBG120R080M1XTMA1-DG
Описание:
SIC_DISCRETE
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 30A Surface Mount PG-TO263-7-12
Инвентаризация:
984 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12988940
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
AIMBG120R080M1XTMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolSiC™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
-
Rds On (макс.) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Vgs (макс.)
-
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-7-12
Упаковка / Чехол
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Базовый номер продукта
AIMBG120
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
448-AIMBG120R080M1XTMA1DKR
SP005411515
448-AIMBG120R080M1XTMA1CT
448-AIMBG120R080M1XTMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STD30NF06L
TO-252 MOSFETS ROHS
IRLML6401TRPBF-1
MOSFET
CMS2301T-HF
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
