Производитель Номер продукта:
AUIRF1018E
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
AUIRF1018E-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
12801971
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
AUIRF1018E Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
79A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.4mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2290 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
110W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
AUIRF1018
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP001519520
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSZ165N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON
IPP040N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
EPC2051
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
