AUIRFS6535
Производитель Номер продукта:

AUIRFS6535

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

AUIRFS6535-DG

Описание:

MOSFET N-CH 300V 19A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 300 V 19A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Инвентаризация:

12838917
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

AUIRFS6535 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
300 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
185mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2340 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
210W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
AUIRFS6535

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP001516136

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
STB18NF30
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
320
Номер части
STB18NF30-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.05
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

BSC340N08NS3GATMA1

MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5

onsemi

FQPF1N60

MOSFET N-CH 600V 900MA TO220F

onsemi

FQD7N10LTF

MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK

onsemi

FDB047N10

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK