Производитель Номер продукта:
BC857CB5000
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BC857CB5000-DG
Описание:
BIPOLAR TRANSISTOR TRANSISTOR
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23-3-1
Инвентаризация:
540000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12941259
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BC857CB5000 Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
45 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
650mV @ 5mA, 100mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
15nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Мощность - Макс
330 mW
Частота - переход
250MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Комплект устройства поставщика
PG-SOT23-3-1
Базовый номер продукта
BC857
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
2156-BC857CB5000
INFINFBC857CB5000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
Not applicable
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SJE163
BIP C77 PNP SPECIAL
SJE6429-001
BIP T0220 PNP SPECIAL
2SC3689-TB-E
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
