Производитель Номер продукта:
BSB012NE2LX
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSB012NE2LX-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON
Подробное описание:
N-Channel 25 V 37A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Инвентаризация:
12842946
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSB012NE2LX Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
37A (Ta), 170A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4900 pF @ 12 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Упаковка / Чехол
3-WDSON
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSB012NE2LXCT
BSB012NE2LXXUMA1
BSB012NE2LXDKR
BSB012NE2LX-DG
BSB012NE2LXXT
BSB012NE2LXTR
SP000756344
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NDD03N40Z-1G
MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK
NTP5404NRG
MOSFET N-CH 40V 24A/167A TO220AB
NVMFD6H852NLT1G
MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
