Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
BSB028N06NN3GXUMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSB028N06NN3GXUMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 22A/90A 2WDSON
Подробное описание:
N-Channel 60 V 22A (Ta), 90A (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Инвентаризация:
10013 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12839085
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSB028N06NN3GXUMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
22A (Ta), 90A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 102µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
12000 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.2W (Ta), 78W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Упаковка / Чехол
3-WDSON
Базовый номер продукта
BSB028
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
BSB028N06NN3GXUMA1
HTML Спецификация
BSB028N06NN3GXUMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSB028N06NN3 GDKR
BSB028N06NN3GXUMA1DKR
BSB028N06NN3G
BSB028N06NN3 GCT-DG
BSB028N06NN3 GCT
SP000605956
BSB028N06NN3 G
BSB028N06NN3 G-DG
BSB028N06NN3GXUMA1CT
BSB028N06NN3 GTR-DG
BSB028N06NN3 GDKR-DG
BSB028N06NN3GXUMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDMS8848NZ
MOSFET N-CH 40V 22.8A/49A 8PQFN
FDS6680
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
FDD9409L-F085
MOSFET N-CH 40V 90A TO252
FQB13N50CTM
MOSFET N-CH 500V 13A D2PAK