Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
BSB044N08NN3GXUMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSB044N08NN3GXUMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Подробное описание:
N-Channel 80 V 18A (Ta), 90A (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Инвентаризация:
5725 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12830496
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSB044N08NN3GXUMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Ta), 90A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 97µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5700 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.2W (Ta), 78W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Упаковка / Чехол
3-WDSON
Базовый номер продукта
BSB044
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
BSB044N08NN3GXUMA1
HTML Спецификация
BSB044N08NN3GXUMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSB044N08NN3 GDKR
BSB044N08NN3GXUMA1TR
2156-BSB044N08NN3GXUMA1-448
BSB044N08NN3 GTR-DG
BSB044N08NN3 G-DG
BSB044N08NN3 GCT
BSB044N08NN3GXUMA1DKR
BSB044N08NN3G
BSB044N08NN3 G
BSB044N08NN3 GCT-DG
BSB044N08NN3GXUMA1CT
SP000604542
BSB044N08NN3 GDKR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BUK9508-55B,127
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
PSMN030-150P,127
MOSFET N-CH 150V 55.5A TO220AB
PMBF170,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
BSS84AKM,315
MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006-3