BSB056N10NN3GXUMA1
Производитель Номер продукта:

BSB056N10NN3GXUMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

BSB056N10NN3GXUMA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
Подробное описание:
N-Channel 100 V 9A (Ta), 83A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™

Инвентаризация:

11611 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12802534
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
JwoS
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

BSB056N10NN3GXUMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Ta), 83A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5500 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Упаковка / Чехол
3-WDSON
Базовый номер продукта
BSB056

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSB056N10NN3 G-DG
BSB056N10NN3 GDKR-DG
BSB056N10NN3 GDKR
BSB056N10NN3 G
BSB056N10NN3 GCT
2156-BSB056N10NN3GXUMA1TR
BSB056N10NN3GXUMA1TR
BSB056N10NN3G
BSB056N10NN3 GTR-DG
BSB056N10NN3 GCT-DG
SP000604540
BSB056N10NN3GXT
BSB056N10NN3GXUMA1CT
BSB056N10NN3GXUMA1DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IPU80R1K4CEAKMA1

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3

infineon-technologies

IRF6216TRPBF

MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO

infineon-technologies

IRF7210PBF

MOSFET P-CH 12V 16A 8SO

infineon-technologies

IRF7201TRPBF

MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO