Производитель Номер продукта:
BSC010N04LSATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSC010N04LSATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 38A/100A TDSON
Подробное описание:
N-Channel 40 V 38A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Инвентаризация:
12369 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12798650
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSC010N04LSATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
38A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6800 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 139W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8 FL
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSC010
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
SP000928282
BSC010N04LSATMA1CT
BSC010N04LSATMA1TR
BSC010N04LSATMA1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSC040N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
AUIRFU8401
MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
BSC018NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON