Производитель Номер продукта:
BSC014N04LSATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSC014N04LSATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Подробное описание:
N-Channel 40 V 32A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount SuperSO8
Инвентаризация:
20563 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12799131
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSC014N04LSATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
32A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4300 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SuperSO8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSC014
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
SP000871196
BSC014N04LSATMA1DKR
BSC014N04LSTR
BSC014N04LSDKR
BSC014N04LSATMA1TR
BSC014N04LSTR-DG
BSC014N04LSATMA1CT
BSC014N04LSDKR-DG
BSC014N04LS-DG
BSC014N04LS
BSC014N04LSCT-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSS84PH6433XTMA1
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
BSR315PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
