Производитель Номер продукта:
BSC014N06NSATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSC014N06NSATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 30A/100A TDSON7
Подробное описание:
N-Channel 60 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-17
Инвентаризация:
14862 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12802204
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSC014N06NSATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.45mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.8V @ 120µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6500 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 156W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-17
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSC014
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
SP000924886
BSC014N06NSATMA1CT
BSC014N06NSATMA1TR
BSC014N06NSTR
BSC014N06NSDKR-DG
BSC014N06NS-DG
BSC014N06NSATMA1DKR
BSC014N06NSTR-DG
BSC014N06NS
BSC014N06NSCT-DG
BSC014N06NSDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AUIRF5210S
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
BSS127H6327XTSA1
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
BSL802SNL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP-6
