Производитель Номер продукта:
BSC019N04LSATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSC019N04LSATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Подробное описание:
N-Channel 40 V 27A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Инвентаризация:
25985 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12798448
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSC019N04LSATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
27A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2900 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 78W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-1
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSC019
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
448-BSC019N04LSATMA1CT
BSC019N04LSATMA1-DG
448-BSC019N04LSATMA1TR
SP001067012
448-BSC019N04LSATMA1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AUIRL3705ZSTRL
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
AUIRFS6535TRL
MOSFET N-CH 300V 19A D2PAK
AUIRFS3806TRL
MOSFET N-CH 60V 43A D2PAK