BSC019N08NS5ATMA1
Производитель Номер продукта:

BSC019N08NS5ATMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

BSC019N08NS5ATMA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 80V 28A/237A TSON-8
Подробное описание:
N-Channel 80 V 28A (Ta), 237A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3

Инвентаризация:

4950 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12958991
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
ILcm
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

BSC019N08NS5ATMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™ 5
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
28A (Ta), 237A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 146µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8600 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 214W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TSON-8-3
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
5,000
Другие названия
448-BSC019N08NS5ATMA1CT
448-BSC019N08NS5ATMA1TR
448-BSC019N08NS5ATMA1DKR
SP005560379

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIHG21N80AEF-GE3

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

micro-commercial-components

MCU15N10-TP

MOSFET N-CH

micro-commercial-components

MCU02N80-TP

MOSFET N-CH

nexperia

PMV13XNEAR

PMV13XNEA - 20 V, N-CHANNEL TREN