Производитель Номер продукта:
BSC022N04LS6ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSC022N04LS6ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Подробное описание:
N-Channel 40 V 27A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Инвентаризация:
15210 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12799759
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSC022N04LS6ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
27A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1900 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 79W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-1
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSC022
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSC022N04LS6ATMA1DKR
BSC022N04LS6ATMA1TR
SP001720024
BSC022N04LS6ATMA1CT
BSC022N04LS6ATMA1-DG
2156-BSC022N04LS6ATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BTS244ZE3062AATMA2
MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5
BSP135L6327HTSA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
IPA60R099P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO220
