BSC026N02KSGAUMA1
Производитель Номер продукта:

BSC026N02KSGAUMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

BSC026N02KSGAUMA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
Подробное описание:
N-Channel 20 V 25A (Ta), 100A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Инвентаризация:

1482 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12802355
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

BSC026N02KSGAUMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Last Time Buy
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
25A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.6mOhm @ 50A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 200µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
52.7 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7800 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-1
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSC026

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
BSC026N02KSGAUMA1
HTML Спецификация
BSC026N02KSGAUMA1-DG

Дополнительная информация

Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSC026N02KS GDKR-DG
BSC026N02KSGAUMA1TR
BSC026N02KSGAUMA1DKR
SP000379664
BSC026N02KS GCT
BSC026N02KS G
BSC026N02KSG
BSC026N02KS G-DG
BSC026N02KS GCT-DG
BSC026N02KS GTR
BSC026N02KS GTR-DG
BSC026N02KS GDKR
BSC026N02KSGAUMA1CT
2156-BSC026N02KSGAUMA1
INFINFBSC026N02KSGAUMA1

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
BSC018NE2LSATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
11357
Номер части
BSC018NE2LSATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.49
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Связанные продукты
infineon-technologies

AUIRF3504

MOSFET N-CH 40V 87A TO220AB

infineon-technologies

BSP296NH6433XTMA1

MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4

infineon-technologies

AUIRLR2905ZTRL

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

infineon-technologies

AUIRF3805L-7P

MOSFET N-CH 55V 160A TO262