Производитель Номер продукта:
BSC039N06NSATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSC039N06NSATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 19A/100A TDSON
Подробное описание:
N-Channel 60 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Инвентаризация:
19874 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12799340
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSC039N06NSATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.8V @ 36µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2000 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-6
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSC039
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSC039N06NSTR
BSC039N06NSCT-DG
BSC039N06NSDKR
BSC039N06NSATMA1DKR
BSC039N06NSATMA1CT
BSC039N06NSDKR-DG
BSC039N06NS-DG
BSC039N06NSATMA1TR
SP000985386
BSC039N06NSTR-DG
BSC039N06NS
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSO4410
MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SO
BSC084P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
BSO4410T
MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SO
