Производитель Номер продукта:
BSC0501NSIATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSC0501NSIATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
Подробное описание:
N-Channel 30 V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Инвентаризация:
22387 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12832925
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSC0501NSIATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
29A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2200 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
Schottky Diode (Body)
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-6
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSC0501
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
448-BSC0501NSIATMA1TR
BSC0501NSIATMA1-DG
SP001288140
448-BSC0501NSIATMA1CT
448-BSC0501NSIATMA1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BUK9Y2R4-40HX
BUK9Y2R4-40H/SOT669/LFPAK
PMN50EPEX
MOSFET P-CH 30V 4.6A 6TSOP
AUIRL7736M2TR
MOSFET N-CH 40V 179A DIRECTFET
