Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
BSC057N08NS3GATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSC057N08NS3GATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 16A/100A TDSON
Подробное описание:
N-Channel 80 V 16A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Инвентаризация:
14602 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12840414
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSC057N08NS3GATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 73µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3900 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 114W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-5
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSC057
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
BSC057N08NS3GATMA1
HTML Спецификация
BSC057N08NS3GATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSC057N08NS3 GCT-DG
BSC057N08NS3 G
BSC057N08NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC057N08NS3GATMA1TR
SP000447542
2156-BSC057N08NS3GATMA1TR
BSC057N08NS3GATMA1DKR
BSC057N08NS3 GDKR-DG
BSC057N08NS3 GCT
BSC057N08NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC057N08NS3 GDKR
BSC057N08NS3 GTR-DG
BSC057N08NS3G
BSC057N08NS3GATMA1CT
BSC057N08NS3 G-DG
BSC057N08NS3 GTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTR5198NLT1G
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
NDD04N60ZT4G
MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK
NVMFS5C430NLT1G
MOSFET N-CH 40V 200A 5DFN
NTLJD3182FZTAG
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6WDFN