Производитель Номер продукта:
BSC0902NSIATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSC0902NSIATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Подробное описание:
N-Channel 30 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Инвентаризация:
26102 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12799910
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSC0902NSIATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
23A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 10mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1500 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 48W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-6
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSC0902
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSC0902NSICT-DG
SP000854380
BSC0902NSITR-DG
BSC0902NSITR
BSC0902NSIATMA1DKR
BSC0902NSIATMA1CT
BSC0902NSICT
BSC0902NSIDKR-DG
BSC0902NSIATMA1TR
BSC0902NSI
BSC0902NSIDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BTS110NKSA1
MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
IPA60R600P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
IPB50CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3