Производитель Номер продукта:
BSC110N15NS5ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSC110N15NS5ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 150V 76A TDSON
Подробное описание:
N-Channel 150 V 76A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Инвентаризация:
13446 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12802797
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSC110N15NS5ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
8V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.6V @ 91µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2770 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-7
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSC110
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSC110N15NS5ATMA1-DG
SP001181418
BSC110N15NS5ATMA1CT
BSC110N15NS5ATMA1DKR
BSC110N15NS5ATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFS4310PBF
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
IPB80N04S2L03ATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
IRF7203TR
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SO