Производитель Номер продукта:
BSC117N08NS5ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSC117N08NS5ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 49A TDSON
Подробное описание:
N-Channel 80 V 49A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Инвентаризация:
42635 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12799209
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSC117N08NS5ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
49A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.8V @ 22µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1300 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-7
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSC117
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSC117N08NS5ATMA1-DG
BSC117N08NS5ATMA1TR
BSC117N08NS5ATMA1CT
SP001295028
BSC117N08NS5ATMA1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSS84PW L6327
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3
BSZ075N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
IPB042N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
