Производитель Номер продукта:
BSC600N25NS3GATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSC600N25NS3GATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1
Подробное описание:
N-Channel 250 V 25A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Инвентаризация:
8338 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12799625
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSC600N25NS3GATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
60mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2350 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-1
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSC600
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
SP000676402
BSC600N25NS3GATMA1TR
BSC600N25NS3 GTR
BSC600N25NS3G
BSC600N25NS3GATMA1DKR
BSC600N25NS3 GDKR
BSC600N25NS3GATMA1CT
BSC600N25NS3 G-DG
BSC600N25NS3 GTR-DG
BSC600N25NS3 GCT
BSC600N25NS3 GDKR-DG
BSC600N25NS3 G
BSC600N25NS3 GCT-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSC109N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
BSC060P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
BSS131H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
