Производитель Номер продукта:
BSD214SNH6327XTSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSD214SNH6327XTSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
Подробное описание:
N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO
Инвентаризация:
5980 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12799636
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSD214SNH6327XTSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 3.7µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.8 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
143 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT363-PO
Упаковка / Чехол
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Базовый номер продукта
BSD214
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
448-BSD214SNH6327XTSA1TR
448-BSD214SNH6327XTSA1DKR
INFINFBSD214SNH6327XTSA1
BSD214SN H6327-DG
BSD214SNH6327XTSA1-DG
2156-BSD214SNH6327XTSA1
SP000917656
BSD214SN H6327
448-BSD214SNH6327XTSA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSZ110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
BSO064N03S
MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
BSS214NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
