Производитель Номер продукта:
BSG0813NDIATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSG0813NDIATMA1-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8
Подробное описание:
Mosfet Array 25V 19A, 33A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
Инвентаризация:
12798877
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSG0813NDIATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A, 33A
Rds On (макс.) @ id, vgs
3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.4nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1100pF @ 12V
Мощность - Макс
2.5W
Рабочая температура
-55°C ~ 155°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Комплект устройства поставщика
PG-TISON-8
Базовый номер продукта
BSG0813
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
SP001241676
448-BSG0813NDIATMA1CT
448-BSG0813NDIATMA1TR
2156-BSG0813NDIATMA1
BSG0813NDIATMA1-DG
INFINFBSG0813NDIATMA1
448-BSG0813NDIATMA1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSZ0909NDXTMA1
MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8
BSL308PEL6327HTSA1
MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
BSO215C
MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SO