Производитель Номер продукта:
BSP123E6327T
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSP123E6327T-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4
Подробное описание:
N-Channel 100 V 370mA (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Инвентаризация:
12800654
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSP123E6327T Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
SIPMOS®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
370mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.8V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6Ohm @ 370mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.8V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
2.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
70 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.79W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT223-4
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
BSP123XTINCT
BSP123XTINTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
BSP89,115
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
11918
Номер части
BSP89,115-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.15
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSS131L6327HTSA1
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
IPB022N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
IPD90N06S4L03ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31