Производитель Номер продукта:
BSP125H6433XTMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSP125H6433XTMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Подробное описание:
N-Channel 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Инвентаризация:
4900 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12861660
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSP125H6433XTMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
SIPMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 94µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
150 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT223-4
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
BSP125
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
SP001058578
BSP125H6433XTMA1DKR
BSP125H6433XTMA1TR
BSP125H6433XTMA1CT
2156-BSP125H6433XTMA1
BSP125H6433XTMA1-DG
INFINFBSP125H6433XTMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RJK0353DPA-WS#J0B
MOSFET N-CH 30V 35A WPAK
NP110N055PUJ-E1B-AY
TRANSISTOR
H7N1002LSTL-E
MOSFET N-CH 100V 75A 4LDPAK
